在2.5D/3D先进封装和单芯片晶体管数量突破千亿级的时代,芯片的局部热流密度常远超核反应堆水平。本服务面向芯片设计、先进封装及异构集成的高性能计算、AI加速等场景,利用RedHawk-SC Electrothermal等高精度电热耦合仿真平台与 TF-The
在2.5D/3D先进封装和单芯片晶体管数量突破千亿级的时代,芯片的局部热流密度常远超核反应堆水平。本服务面向芯片设计、先进封装及异构集成的高性能计算、AI加速等场景,利用RedHawk-SC Electrothermal等高精度电热耦合仿真平台与 TF-Thermal 等先进的电子散热仿真软件,构建从管芯(Die)到系统(整机散热)的跨尺度多物理场热分析桥梁。对2.5D/3D多裸片IC系统的功率场与温度场进行热-电-力多物理场耦合求解,针对由数十亿晶体管构成的集成电路注入实际功耗分布(Power Map)后生成精确芯片热模型(CTM),精准定位时序敏感的局部热点、量化先进封装中互连键合线及硅通孔(TSV)的热应力并仿真金属互连在高温下的电迁移(EM)寿命衰退特征。服务将帮助客户快速对比不同芯片方案的热可行性,大幅压缩设计迭代周期——例如,针对20种不同的功率预算方案进行热可行性评估的类似案例中,使用传统方法需近两周,而融入AI加速的新一代仿真技术仅需十余分钟即可完成全部方案的横向对比,且敏感热点捕捉效果与传统仿真高度吻合,成功将一轮设计迭代周期压缩近40%。
现代芯片设计复杂度爆炸式增长的背景下,即便有最先进散热方案也难以单方面解决晶圆级热问题。对于高性能服务器CPU、GPU与AI加速器,2.5D/3D先进封装的局部热流密度已突破1,000 W/cm²。然而传统设计流程中,芯片设计师与系统热工程师使用不同工具链形成“抛过墙”式的交接:芯片侧将简化后的热量边界预估封装热阻,但缺乏真实系统级风道散热分布的信息。这种单向、非同平台协同设计的数据转换过程会造成精度逐级降低,无法统一考虑供电压降、局部温度升高、温度进一步恶化功耗的震荡式热-电负反馈循环,导致最终硬件测试时发现局部热点导致时序严重违规甚至物理破坏[reference:6]。
芯片级热仿真服务在此背景下构建了一座从晶圆到冷却风扇的全链路双向耦合桥梁,实现芯片-封装-系统的电-热-力闭环协同仿真。同时,最新的AI驱动参数化热分析模式可将传统耗时两周的满功耗方案横向对比压缩至十余分钟,已在头部AI芯片公司的GPU流片前探索中实现了迭代周期压缩40%的高效工程应用[reference:7]。
为满足从晶粒到数米长机柜的良好物理完整性,我们构建了多尺度多工具的联合仿真链路:
上述跨尺度联合仿真的基础是连续且无断层的数值媒质表述。我们使用的工具链具备以下集成优势:
项目交付全套热签核文件与优化分析报告,包含:
需求确认与数据准备:明确芯片的工艺制程、裸片堆叠策略(2.5D/3D)、功率阈值、预估热流密度及堵转的失效标准;接收来自RedHawk或Voltus等EDA平台的芯片功耗分布图(Power Map)及GDSII版图文件。
管芯层热建模:导入芯片的多层互连和晶体管级功耗热源,建立Die与微凸块层的精细化热模型。利用TF-Thermal跨尺度仿真能力,处理由厚度仅0.08mm的Tim层连续过渡至裸片微结构的多尺度网格。
封装层级热仿真:搭建外包基板与TSV的封装模型,引入引线键合、铜柱或锡球阵列的等效正交各向异性导热参数。执行热-电-力耦合仿真,研究功率模块由于不同材料热膨胀引发的微变形应力——提前锁定互连失效位置,避免验证失效后的订正改版成本,可使相关验证成本直降约30%。
系统散热工况耦合:将封装级的热分析结果以芯片热模型的格式上载至Icepak或TF-Thermal,结合机箱风道、散热器与界面材料属性进行系统层联合仿真。可进行从晶圆到板级的一体化计算,此类多尺度仿真可将封装设计周期明显缩短。
设计优化与方案对比:基于仿真结果进行DC/AC电源压降优化,平衡功耗热点;对底部填充胶材料、散热盖结构与外界风冷/液冷的全工况组合进行批量参数化迭代,快速去除高热点后给出流片前最优设计的全套推荐参数。
交付与签核报告:输出芯片结温分布图、功耗-温度曲线、各层金属互连的电流密度焦耳热分布及热应力变形数据,并提供可感知电热双向耦合的芯片级功耗、热模型包。
ANSYS Icepak/Flotherm
常规排期 3–7 个工作日,具体取决于样品数量与测试设置;需要加急时可在预约时注明。
与样品规格和测试项目有关,请在预约时说明样品类型与数量,工程师会给出具体送样要求。
报告写明所依据的测试方法、样品信息与测试条件,可用于研发验证、供应商评估与内部质量分析;如需对外提交,建议提前与接收方确认要求。